报告预告：

在智能技术蓬勃发展的时代，每一次技术突破都在拓展未来的想象空间。本次弘信讲坛，陈杰智教授将引领我们探索智能领域的芯动力，解码信息产业与AI融合背后的技术密码，探讨智能时代的创新驱动力——6月18日，我们以信息为桥梁，共赴一场洞见未来的思想盛宴。

嘉宾介绍：

陈杰智，山东大学信息科学与工程学院教授，国家海外青年特聘专家，山东省杰出青年基金获得者，IEEE高级会员。研究领域主要包括非挥发性存储器可靠性、低功耗纳米器件、新型器件材料设计、存储芯片系统与存算设计。主持了国家科技部重点研发项目课题和国家基金委重点项目等多项国家级/省级/企业的研究项目和课题，与国内外著名大学、研究机构及集成电路企业建立了良好的合作关系。近五年发表了七十余篇高水平SCI/EI检索论文，十七次在微电子集成电路国际顶级会议IEDM/VLSI Symposium上报告研究进展，获得21项美国/日本专利授权和9项中国专利授权。

学术组织任职：

IEEE IEDM国际电子器件会议技术委员（2016~2017, 2022~2023）

IEEE IMW国际内存会议科学技术委员（2020~2024）

IEEE IRPS国际可靠性物理会议技术委员（2019~2020）

IEEE SNW国际电子器件会议技术委员（2017~2020）

IEEE IRPS国际可靠性物理会议内存分会主席（2021）

IEEE EDTM电子器件技术与制造会议半导体器件分会主席（2021~2022）

《半导体学报》青年编委（2021~）

近5年代表性学术成果：

"Temperature-dependent Defect Behaviors in Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 Thin Film: Re-wakeup Phenomenon and Underlying Mechanisms,"2022 IEDM Tech. Dig., 32.3.1-4;

"Design-Technology Co-Optimizations (DTCO) for General-Purpose In-Memory Computation Based on 55nm NOR Flash Technology"2021 IEDM Tech. Dig., 12.1.1-4;

"In-depth Understanding of Polarization Switching Kinetics in Polycrystalline Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Thin Film: A Transition from NLS to KAI,"2021 IEDM Tech. Dig., 19.1.1-4;

"Two-Dimensional Silicon Atomic Layer Field-Effect Transistors: Electronic Property, Metal-Semiconductor Contact, and Device Performance,"2021 IEDM Tech. Dig., 27.2.1-4;

“Deep Insights into the Failure Mechanisms in Field-cycled Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 Thin Film: TDDB Characterizations and First-Principles Calculations”2020 IEDM Tech. Dig., 39.6.1-4;

“Cold Source Engineering towards Sub-60mV/dec p-Type Field-effect-transistors (pFETs): Materials, Structures, and Doping Optimizations”2020 IEDM Tech. Dig., 22.4.1-4;

时间：2025年6月18日下午3点

地点：6月18日下午3点